p型半导体的导电原理

影响p型半导体的导电强弱的因素

p型半导体中正电荷量与负电荷量相等，故P型半导体呈电中性，空穴主要由杂质原子提供，自由电子由热激发形成，掺入的杂质越多，电子或空穴的浓度就越高，导电性能就越强。

半导体( semiconductor)，指常温下导电性能介于导体(conductor)与绝缘体(insulator)之间的材料。半导体在收音机、电视机以及测温上有着广泛的应用。如二极管就是采用半导体制作的器件。半导体是指一种导电性可受控制，范围可从绝缘体至导体之间的材料。

无论从科技或是经济发展的角度来看，半导体的重要性都是非常巨大的。今日大部分的电子产品，如计算机、移动电话或是数字录音机当中的核心单元都和半导体有着极为密切的关连。常见的半导体材料有硅、锗、砷化镓等，而硅更是各种半导体材料中，在商业应用上最具有影响力的一种。

由于硼原子最外层只有7个电子，所以会留下一个空穴，在P型半导体当中，我们把空穴叫做多子。P型半导体的空穴是极易容易得到电子的，如果掺杂了更多多硼原子，就会更容易得到更多的电子，这对外就会吸引电子来填满它的空穴。

N型半导体最外层多一个电子（针对掺杂杂志原子而言）。

P型半导体最外层少一个电子（针对掺杂杂志原子而言）。

形成原理

要产生较多的空穴浓度就需依赖掺杂或缺陷。在纯净的硅晶体中掺入三价元素(如硼)，使之取代晶格中硅原子的位置，就形成p型半导体。对于Ⅳ族元素，半导体(锗、硅等)需进行Ⅲ族元素的掺杂;对于Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体(如砷化镓)，常用掺杂Ⅱ族元素来提供所需的空穴浓度;在离子晶体型氧化物半导体中，化学配比的微量偏移可造成大量电载荷流子，氧量偏多时形成的缺陷可提供空穴，Cu2O、NiO、VO2等均是该类型的p型半导体，且当它们在氧压中加热后，空穴浓度将随之增加.上述能给半导体提供空穴的掺杂原子或缺陷，均称受主。